Показано, что на третьи сутки после высева на питательную среду высечек из прошедшего облучение низкоэнергетическими ускоренными электронами с максимальной энергией 1 МэВ в диапазоне доз от 100 Гр до 10 000 Гр мицелиального мата грибов родов Fusarium и Alternaria наибольшее подавление роста большинства их штаммов наблюдали при облучении дозами от 5 000 Гр и выше. В среднем по дозе наименьший рост грибов отмечен при облучении дозой 5 000 Гр. В этом случае средний диаметр колоний у изученных штаммов составлял 9,7 мм, что на 74,6 % меньше, чем в контрольных образцах. Показано, что обработка пучком электронов привела к снижению диаметральной скорости роста для семи из двенадцати исследуемых штаммов фитопатогенов. Облучение мицелия грибов различных штаммов в дозах 100, 1 000 и 10 000 Гр подавляло их рост на 4–10, 13–39 и 62–63 % соответственно, в зависимости от вида гриба и его штамма. Для дозовых зависимостей диаметров колоний штаммов Г-4 и К-91 (Fusarium spp.), ТАН-1 (Alternaria spp.), Т-1 и Т-2 (B. sorokiniana) и ШК-25 и ШП-28 (R. solani) были получены явные аппроксимирующие сигмоидальные зависимости, свидетельствующие о различной радиочувствительности штаммов фитопатогенных грибов, обусловленной их морфологическими особенностями. Наиболее радиочувствительным показал себя штамм ШК-25 (R. solani), ингибирование роста колоний которого наблюдалось при облучении в дозе 1 000 Гр. Наименее радиочувствительными оказались штаммы ТАН-1 (Alternaria spp.), S-1 (S. nodorum) и К-7.2, К-21 и К-37 – Fusarium spp., ингибирование роста которых не наблюдалось даже при облучении в дозах 10 000 Гр.